Açıklama
Süper yüksek hızlı anahtarlama ve düşük güç kaybı, Yüksek giriş empedansı
Menşe Yeri
Zhejiang, China
Çalışma Sıcaklığı
-40 ℃ ~ + 175 ℃ (tj)
Uygulama
Ups, pfc, invertör ve kaynak dönüştürücüler
Faaliyet Türü
Orijinal üretici, ODM
Medya Mevcut
Veri sayfası, fotoğraf
品名
Akg75t120bh igbt transistör 1200v 1200
Akım-Collector (Ic) (maks)
300a
Gerilim-kollektör verici arıza (Max)
1200v
Vce doygunluk (Max) @ Ib, Ic
2.5v
Çalışma Sıcaklığı
-40 ° c ~ 175 ° c (tj)
Vgs (th) (Max) @ kimlik
6.4v
Akım değerlendirme (amper)
75a 75a
Sürücü gerilim (Max üzerinde Rds, Min üzerinde Rds)
4.3v-6.4v
IGBT tipi
Fieldstop siper igbt
Yapılandırma
Tek anahtarı
Giriş kapasite (Cies) @ Vce
7300pf
Akım drenaj (Id)-Max
300a
uygulamalar
Ups smps ve pfc
Transistör tipi
Igbt transistör
Ic nom @ tc = 100c, tvj max = 175c
75a 75a
Darbeli toplayıcı akımı
300a
Güç dağılımı @ tc = 25c
833w
Vce (sat)@ tvj = 25c ic = 100a
1.9v (typ.)
Kapatma enerji kaybı
2.4mj
Diyot ters kurtarma süresi
65 ns
